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首页 全部分类 IXFH16N90Q vs STW25N80K5

IXFH16N90Q备选型号: STW25N80K5

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXFH16N90Q
    IXYS
    MOSFET N-CH 900V 16A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    16A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2002
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    650mOhm
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    360W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    650m Ω @ 8A, 10V
    5V @ 4mA
    4000pF @ 25V
    170nC @ 10V
    24ns
    ±20V
    14 ns
    16A
    TO-247AD
    20V
    900V
    64A
    1500 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW25N80K5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    19.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH5™
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    260MOhm
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    260m Ω @ 19.5A, 10V
    5V @ 100μA
    1600pF @ 100V
    40nC @ 10V
    -
    ±30V
    -
    19.5A
    -
    30V
    800V
    78A
    200 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    STW25N
    25 ns
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
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