IXFH21N50F备选型号: IPA50R140CPXKSA1

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • IXYS
    IXYS RF IXFH21N50F RF FET Transistor, 500 V, 21 A, 300 W, 500 kHz, TO-247AD
    10 Weeks
    通孔
    TO-247-3
    NO
    3
    SILICON
    21A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerRF™
    2002
    e1
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 10.5A, 10V
    5.5V @ 4mA
    2600pF @ 25V
    77nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    7.7 ns
    21A
    20V
    0.25Ohm
    500V
    84A
    1500 mJ
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP
    -
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    NO
    -
    SILICON
    23A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    -
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    140m Ω @ 14A, 10V
    3.5V @ 930μA
    2540pF @ 100V
    64nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    0.14Ohm
    -
    56A
    616 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    500V
    TO-220AB
    23A
    500V
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