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首页 全部分类 IXFH34N65X2 vs TK35N65W5,S1F

IXFH34N65X2备选型号: TK35N65W5,S1F

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXFH34N65X2
    IXYS
    In a Pack of 2, N-Channel MOSFET, 34 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IXYS IXFH34N65X2
    19 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    34A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    unknown
    未说明
    N-Channel
    105m Ω @ 17A, 10V
    5.5V @ 2.5mA
    3330pF @ 25V
    56nC @ 10V
    650V
    ±30V
    34A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK35N65W5,S1F
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    35A Ta
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    95m Ω @ 17.5A, 10V
    4.5V @ 2.1mA
    4100pF @ 300V
    115nC @ 10V
    -
    ±30V
    35A
    符合RoHS标准
    3
    38.000013g
    1
    Single
    110 ns
    55ns
    8 ns
    30V
    650V
    无
  • 添加型号
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