Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W,S1F

工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-247

质量

38.000013g

Power Dissipation (Max)

270W Tc

Turn Off Delay Time

150 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 2.1mA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A Ta

包装

Tube

系列

DTMOSIV

已出版

2014

操作温度

150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

通道数量

1

元素配置

Single

接通延迟时间

70 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

80mOhm @ 17.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4100pF @ 300V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

100nC @ 10V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

35A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

650V

输入电容

4.1nF

漏源电阻

68mOhm

最大rds

80 mΩ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准