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首页 全部分类 IXFH50N30Q3 vs IPW60R060C7XKSA1

IXFH50N30Q3备选型号: IPW60R060C7XKSA1

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • IXYS
    IXFH50N30Q3
    IXYS
    MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    unknown
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    690W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 25A, 10V
    6.5V @ 4mA
    3160pF @ 25V
    65nC @ 10V
    250ns
    ±20V
    50A
    20V
    0.08Ohm
    300V
    16.26mm
    16.26mm
    5.3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW60R060C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 35A TO247
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    35A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 15.9A, 10V
    4V @ 800μA
    2850pF @ 400V
    68nC @ 10V
    -
    ±20V
    35A
    -
    0.06Ohm
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    600V
    159 mJ
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