Infineon Technologies IPW60R060C7XKSA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

162W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 800μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™ C7

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

60m Ω @ 15.9A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2850pF @ 400V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

68nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

35A

最大双电源电压

600V

漏极-源极导通最大电阻

0.06Ohm

雪崩能量等级（Eas）

159 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅