IXFH86N30T备选型号: IRGP4063DPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 300V 86A TO-24730 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON86A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™, TrenchT2™2009e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定SINGLE未说明未说明3R-PSFM-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING43m Ω @ 43A, 10V5V @ 4mA11300pF @ 25V180nC @ 10V300V±20V86A0.043Ohm190A300V2000 mJROHS3 Compliant----------------------------------
- IGBT 600V 96A 330W TO247AC26 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON600V-55°C~175°C TJTube-2006--活跃1 (Unlimited)3EAR99----------COLLECTOR-电源控制----300V-96A----ROHS3 Compliant338.000013g2.14V300V330W96AIRGP4063DSingle330WStandard60 ns56nsN-CHANNEL2.14V96A115 nsTO-247AC100 ns2.14V @ 15V, 48A210 nsTrench95nC144A60ns/145ns625μJ (on), 1.28mJ (off)20V6.5V46ns20.3mm15.875mm5.3mm无SVHC无无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFP4768PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 250V 93A TO-247AC | 对比 |
![]() | STW46NF30 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 300V 42A TO247 | 对比 |
![]() | IRGP4063DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 96A 330W TO247AC | 对比 |





哦! 它是空的。