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IXFK21N100F备选型号: SCT2160KEC
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 底架
- 电阻
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
IXYS RF IXFK21N100F RF FET Transistor, 1 kV, 21 A, 500 W, 500 kHz, TO-26410 Weeks通孔TO-264-3, TO-264AANO3SILICON21A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerRF™2002yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99雪崩 额定未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET500WDRAINN-ChannelSWITCHING500m Ω @ 10.5A, 10V5.5V @ 4mA5500pF @ 25V160nC @ 10V16ns1000V±20V15 ns21A20V0.5Ohm1kV84A2500 mJ无SVHC符合RoHS标准----------
MOSFET N-CH 1200V 22A TO-24719 Weeks通孔TO-247-3-3-22A Tc175°C TJTube-2012-活跃1 (Unlimited)3--未说明未说明--Single增强型MOSFET--N-ChannelSWITCHING208m Ω @ 7A, 18V4V @ 2.5mA1200pF @ 800V62nC @ 18V25ns1200V+22V, -6V27 ns22A4V-1.2kV55A-无SVHCROHS3 Compliant通孔160mOhm123 ns4V4 V5.03mm15.9mm20.95mm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FCPF220N80 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 800V 23A TO220 | 对比 |
 | FCP220N80 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET 800V 23A N-Channel SuperFET II MOSFET | 对比 |
| SCT2160KEC | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247 | 对比 |
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