ROHM Semiconductor SCT2160KEC

工厂交货时间

19 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

165W Tc

Turn Off Delay Time

67 ns

操作温度

175°C TJ

包装

Tube

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电阻

160mOhm

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

23 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

208m Ω @ 7A, 18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1200pF @ 800V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

62nC @ 18V

上升时间

25ns

漏源电压 (Vdss)

1200V

Vgs（最大值）

+22V, -6V

下降时间（典型值）

27 ns

连续放电电流(ID)

22A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

4V

漏源击穿电压

1.2kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

55A

栅源电压

4 V

高度

5.03mm

长度

15.9mm

宽度

20.95mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅