IXFL100N50P备选型号: STW88N65M5

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  • JESD-609代码
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  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 隔离电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 最大结点温度(Tj)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXFL100N50P MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 500 V, 52 mohm, 10 V, 5 V
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS264™
    3
    SILICON
    70A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarHT™
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    625W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    52m Ω @ 50A, 10V
    5V @ 8mA
    20000pF @ 25V
    240nC @ 10V
    29ns
    ±30V
    26 ns
    70A
    5V
    30V
    0.052Ohm
    500V
    250A
    5000 mJ
    2.5kV
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh V
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    84A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ V
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    450W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    29m Ω @ 42A, 10V
    5V @ 250μA
    8825pF @ 100V
    204nC @ 10V
    -
    ±25V
    -
    84A
    4V
    25V
    -
    650V
    -
    2000 mJ
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    24mOhm
    STW88N
    1
    141 ns
    150°C
    4 V
    24.45mm
    15.75mm
    5.15mm
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