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首页 全部分类 IXFL100N50P vs STY60NM60

IXFL100N50P备选型号: STY60NM60

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 隔离电压
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXFL100N50P
    IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXFL100N50P MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 500 V, 52 mohm, 10 V, 5 V
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS264™
    3
    SILICON
    70A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarHT™
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    625W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    52m Ω @ 50A, 10V
    5V @ 8mA
    20000pF @ 25V
    240nC @ 10V
    29ns
    ±30V
    26 ns
    70A
    5V
    30V
    0.052Ohm
    500V
    250A
    5000 mJ
    2.5kV
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STY60NM60
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3 Tab) Max247 Tube
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    60A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    560W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 30A, 10V
    5V @ 250μA
    7300pF @ 25V
    266nC @ 10V
    95ns
    ±30V
    76 ns
    60A
    4V
    30V
    0.055Ohm
    600V
    240A
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    600V
    60A
    STY60N
    55 ns
    20.3mm
    5.9mm
    5.3mm
    无
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