STMicroelectronics STY60NM50

工厂交货时间

12 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A Tc

Power Dissipation (Max)

560W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

系列

MDmesh™

包装

Tube

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

50mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

500V

额定电流

60A

基本部件号

STY60N

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

560W

接通延迟时间

51 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

266nC @ 10V

上升时间

58ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

46 ns

连续放电电流(ID)

60A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

宽度

6.35mm

长度

25.4mm

高度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅