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首页 全部分类 IXFL40N110P vs SCT2160KEC

IXFL40N110P备选型号: SCT2160KEC

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  • 终止次数
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • IXYS
    IXFL40N110P
    IXYS
    MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS264™
    3
    21A Tc
    Tube
    HiPerFET™, PolarP2™
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    357W
    Single
    357W
    N-Channel
    280m Ω @ 20A, 10V
    6.5V @ 1mA
    19000pF @ 25V
    310nC @ 10V
    55ns
    1100V
    ±30V
    54 ns
    21A
    30V
    1.1kV
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    SCT2160KEC
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
    19 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    22A Tc
    Tube
    -
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    -
    N-Channel
    208m Ω @ 7A, 18V
    4V @ 2.5mA
    1200pF @ 800V
    62nC @ 18V
    25ns
    1200V
    +22V, -6V
    27 ns
    22A
    4V
    1.2kV
    ROHS3 Compliant
    175°C TJ
    3
    160mOhm
    未说明
    未说明
    1
    增强型MOSFET
    23 ns
    SWITCHING
    4V
    55A
    4 V
    5.03mm
    15.9mm
    20.95mm
    无SVHC
    无铅
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