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首页 全部分类 IXFL80N50Q2 vs STW62NM60N

IXFL80N50Q2备选型号: STW62NM60N

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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • RoHS状态
  • ECCN 代码
  • Reach合规守则
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • IXYS
    IXFL80N50Q2
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264
    通孔
    通孔
    ISOPLUS264™
    3
    SILICON
    55A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2005
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    380W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    66m Ω @ 40A, 10V
    5V @ 8mA
    10500pF @ 25V
    260nC @ 10V
    25ns
    ±30V
    11 ns
    64A
    30V
    55A
    0.066Ohm
    500V
    5000 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW62NM60N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 600V 0.049 Ohm 55A MDmesh II FET
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    65A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    -
    e3
    -
    Obsolete
    不适用
    3
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    未说明
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    350W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    49m Ω @ 32.5A, 10V
    4V @ 250μA
    5800pF @ 100V
    174nC @ 10V
    35ns
    ±25V
    210 ns
    65A
    25V
    55A
    0.048Ohm
    600V
    -
    ROHS3 Compliant
    EAR99
    not_compliant
    STW62N
    30 ns
    220A
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无铅
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