ON Semiconductor FCH47N60N
- 收藏
- 对比
FCH47N60N
1807-FCH47N60N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
大陆
立即发货

MOSFET 600V N-Chan MOSFET SupreMOS
1最小包装量--
FCH47N60N详情
ON Semiconductor FCH47N60N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
工厂交货时间
15 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.39g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
47A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
368W Tc
Turn Off Delay Time
135 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SupreMOS™
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
FCH47N60
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
368W
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
62m Ω @ 23.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6700pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
151nC @ 10V
上升时间
9ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
22 ns
连续放电电流(ID)
47A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏极-源极导通最大电阻
0.062Ohm
漏源击穿电压
600V
高度
21mm
长度
15.95mm
宽度
5.03mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FCH47N60N拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor










哦! 它是空的。