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首页 全部分类 IXFN24N90Q vs HGT1N30N60A4D

IXFN24N90Q备选型号: HGT1N30N60A4D

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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • NTC热敏电阻
  • 无铅
  • IXYS
    IXFN24N90Q
    IXYS
    MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B
    底座安装
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    SILICON
    24A Tc
    Tube
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    NICKEL
    雪崩 额定
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    R-PUFM-X4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    900V
    24A
    0.45Ohm
    900V
    ROHS3 Compliant
    -
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    -
  • ON Semiconductor
    HGT1N30N60A4D
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    -
    600V
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    4
    2.7V
    -55°C~150°C TJ
    600V
    255W
    96A
    225W
    Standard
    600V
    96A
    250μA
    2.7V @ 15V, 30A
    无
    无铅
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HGT1N30N60A4D HGT1N30N60A4D ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 SOT-227-4, miniBLOC Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail 对比