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首页 全部分类 IXFN32N100P vs HGT1N30N60A4D

IXFN32N100P备选型号: HGT1N30N60A4D

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  • 输入电容
  • 漏源电阻
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  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 配置
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • NTC热敏电阻
  • IXYS
    IXFN32N100P
    IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
    30 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SOT-227B
    27A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Polar™
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    320mOhm
    150°C
    -55°C
    690W
    N-Channel
    320mOhm @ 16A, 10V
    6.5V @ 1mA
    14200pF @ 25V
    225nC @ 10V
    55ns
    1000V
    ±30V
    43 ns
    27A
    30V
    1kV
    14.2nF
    320mOhm
    320 mΩ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGT1N30N60A4D
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    -
    600V
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    225W
    -
    -
    -
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    -
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    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2.7V
    600V
    255W
    96A
    Single
    Standard
    600V
    96A
    250μA
    2.7V @ 15V, 30A
    无
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
HGT1N30N60A4D HGT1N30N60A4D ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 SOT-227-4, miniBLOC Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail 对比