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首页 全部分类 IXFN32N60 vs HGT1N30N60A4D

IXFN32N60备选型号: HGT1N30N60A4D

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  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • NTC热敏电阻
  • 无铅
  • IXYS
    IXFN32N60
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227
    底座安装
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    SILICON
    32A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    1996
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    Nickel (Ni)
    雪崩 额定
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    4
    R-PUFM-X4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    520W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 500mA, 10V
    4.5V @ 8mA
    9000pF @ 25V
    325nC @ 10V
    45ns
    ±20V
    60 ns
    32A
    20V
    0.25Ohm
    600V
    128A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGT1N30N60A4D
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    -
    600V
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    225W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    4
    2.7V
    600V
    255W
    96A
    Standard
    600V
    96A
    250μA
    2.7V @ 15V, 30A
    无
    无铅
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HGT1N30N60A4D HGT1N30N60A4D ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 SOT-227-4, miniBLOC Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail 对比