IXFN50N50备选型号: HGT1N30N60A4D
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- NTC热敏电阻
- MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227BChassis Mount, Screw底座安装SOT-227-4, miniBLOC4SILICON50A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™2000yes活跃1 (Unlimited)490MOhmNickel (Ni)雪崩 额定UPPERUNSPECIFIED4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET600WDRAINN-ChannelSWITCHING90m Ω @ 500mA, 10V4.5V @ 8mA9400pF @ 25V330nC @ 10V60ns±20V45 ns50A20V500V200A无ROHS3 Compliant无铅----------
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 RailChassis Mount, Screw底座安装SOT-227-4, miniBLOC4-600V-55°C~150°C TJ----Obsolete1 (Unlimited)-------Single-225W---------------符合RoHS标准无铅2.7V600V255W96AStandard600V96A250μA2.7V @ 15V, 30A无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HGT1N30N60A4D | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | SOT-227-4, miniBLOC | Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail | 对比 |



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