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IXFN55N50F备选型号: STY60NM50
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 底架
- 质量
- JESD-609代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- 辐射硬化
- 无铅
IXYS RF IXFN55N50F RF FET Transistor, 500 V, 55 A, 600 W, 500 kHz, SOT-227B30 Weeks底座安装SOT-227-4, miniBLOCNO4SILICON55A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerRF™2001yes活跃1 (Unlimited)4EAR99Nickel (Ni)雪崩 额定UPPERUNSPECIFIED未说明未说明4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET600WISOLATEDN-ChannelSWITCHING85m Ω @ 27.5A, 10V5.5V @ 8mA6700pF @ 25V195nC @ 10V20ns±20V9.6 ns55A20V0.085Ohm500V220A3000 mJ无SVHCROHS3 Compliant----------------
MOSFET N-CH 500V 60A MAX24712 Weeks通孔TO-247-3-3SILICON60A Tc150°C TJTubeMDmesh™--活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)-----3--增强型MOSFET560W-N-ChannelSWITCHING50m Ω @ 30A, 10V5V @ 250μA7500pF @ 25V266nC @ 10V58ns±30V46 ns60A30V-500V240A-无SVHCROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)通孔4.535924ge350mOhm500V60ASTY60NSingle51 ns4V6.35mm25.4mm6.35mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STY60NM50 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 500V 60A MAX247 | 对比 |
 | STE70NM50 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | ISOTOP | MOSFET N-CH 500V 70A ISOTOP | 对比 |
 | FDH44N50 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube | 对比 |
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