IXFN64N50PD2备选型号: HGT1N30N60A4D
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 功率耗散
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- NTC热敏电阻
- 无铅
- MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B底座安装底座安装SOT-227-4, miniBLOC438.000013gSILICON52A Tc-55°C~150°C TJTubePolarHV™2006yes活跃1 (Unlimited)4Nickel (Ni)AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZEDUPPERUNSPECIFIED未说明未说明4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDN-ChannelSWITCHING85m Ω @ 32A, 10V5V @ 8mA11000pF @ 25V186nC @ 10V500V±30V52A50A0.085Ohm200A500V2500 mJROHS3 Compliant------------
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 RailChassis Mount, Screw底座安装SOT-227-4, miniBLOC4--600V-55°C~150°C TJ----Obsolete1 (Unlimited)---------Single----------------符合RoHS标准2.7V600V255W96A225WStandard600V96A250μA2.7V @ 15V, 30A无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HGT1N30N60A4D | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | SOT-227-4, miniBLOC | Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail | 对比 |



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