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首页 全部分类 IXFP130N10T vs NDPL100N10BG

IXFP130N10T备选型号: NDPL100N10BG

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 无铅
  • IXYS
    IXFP130N10T
    IXYS
    MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    130A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMV™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9.1m Ω @ 25A, 10V
    4.5V @ 1mA
    5080pF @ 25V
    104nC @ 10V
    100V
    130A
    TO-220AB
    0.0091Ohm
    350A
    100V
    750 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NDPL100N10BG
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin TO-220 Tube
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    100A Ta
    175°C TJ
    Tube
    -
    -
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin (Sn)
    -
    SINGLE
    -
    -
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    7.2m Ω @ 50A, 15V
    4V @ 1mA
    2950pF @ 50V
    35nC @ 10V
    100V
    100A
    TO-220AB
    0.0087Ohm
    400A
    100V
    147 mJ
    符合RoHS标准
    6 Weeks
    3
    40 ns
    385ns
    ±20V
    52 ns
    20V
    无铅
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