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IXFP16N60P3备选型号: TK13A60D(STA4,Q,M)
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 最大rds
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 600V 16A TO-22026 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON1-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™2014活跃1 (Unlimited)3雪崩 额定SINGLE3R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING470m Ω @ 500mA, 10V5V @ 1.5mA1830pF @ 25V36nC @ 10V600V±30V16ATO-220AB0.44Ohm40A600V800 mJROHS3 Compliant-----------
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS16 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack-13A Ta150°C TJTubeπ-MOSVII1997活跃1 (Unlimited)--------N-Channel-430mOhm @ 6.5A, 10V4V @ 1mA2300pF @ 25V40nC @ 10V600V±30V13A-----符合RoHS标准3TO-220SIS150°C-55°C50W50ns25 ns30V2.3nF430 mΩ无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDPF17N60NT | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 | 对比 |
| TK13A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS | 对比 |
| TK15A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS | 对比 |
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