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IXFP20N50P3备选型号: STP12N50M2
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 无铅
MOSFET N-CH 500V 8A TO2208 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON8A Tc5V @ 1.5mAHiPerFET™, Polar3™2013-55°C~150°C TJTube活跃1 (Unlimited)3雪崩 额定SINGLER-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING300m Ω @ 10A, 10V1800pF @ 25V36nC @ 10V500V±30V8ATO-220AB20A0.3Ohm40A500V300 mJROHS3 Compliant-----
STP12N50M2: 500V 0.38 Ohm 10A N-Ch. MDmesh II Plus? Low Qg Power Mosfet-TO-220AB16 Weeks通孔通孔TO-220-3--85W Tc4V @ 250μAMDmesh™ II Plus--55°C~150°C TJTube活跃1 (Unlimited)----Single--N-Channel-380m Ω @ 5A, 10V560pF @ 100V15nC @ 10V500V±25V10A------ROHS3 CompliantEAR99未说明未说明STP12无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STP12N50M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | STP12N50M2: 500V 0.38 Ohm 10A N-Ch. MDmesh II Plus? Low Qg Power Mosfet-TO-220AB | 对比 |
 | STF12N50M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP | 对比 |
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