IXYS IXFP20N50P3

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 1.5mA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

380W Tc

系列

HiPerFET™, Polar3™

已出版

2013

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

300m Ω @ 10A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

8A

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20A

漏极-源极导通最大电阻

0.3Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

300 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant