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首页 全部分类 IXFP3N50PM vs IPP60R1K4C6XKSA1

IXFP3N50PM备选型号: IPP60R1K4C6XKSA1

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  • 引脚数量
  • JESD-30代码
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • ECCN 代码
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • IXYS
    IXFP3N50PM
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    2.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarHT™
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    36W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    2 Ω @ 1.8A, 10V
    5.5V @ 250μA
    409pF @ 25V
    9.3nC @ 10V
    28ns
    ±30V
    29 ns
    2.7A
    TO-220AB
    30V
    2Ohm
    500V
    8A
    100 mJ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP60R1K4C6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 650V 3.2A TO220-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    3.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    1.4 Ω @ 1.1A, 10V
    3.5V @ 90μA
    200pF @ 100V
    1.1nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    3.2A
    -
    30V
    -
    650V
    -
    -
    符合RoHS标准
    12 Weeks
    3
    EAR99
    8 ns
    无卤素
    600V
    15.95mm
    10.36mm
    4.57mm
    无铅
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