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首页 全部分类 IXFP7N60P3 vs TK8A60DA(STA4,Q,M)

IXFP7N60P3备选型号: TK8A60DA(STA4,Q,M)

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXFP7N60P3
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.15 Ω @ 500mA, 10V
    5V @ 1mA
    705pF @ 25V
    13.3nC @ 10V
    600V
    ±30V
    7A
    TO-220AB
    7A
    16A
    600V
    400 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK8A60DA(STA4,Q,M)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220SIS
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    7.5A Ta
    150°C TJ
    Tube
    π-MOSVII
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    1Ohm @ 4A, 10V
    4V @ 1mA
    1050pF @ 25V
    20nC @ 10V
    600V
    ±30V
    7.5A
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    3
    TO-220SIS
    150°C
    -55°C
    25ns
    10 ns
    30V
    1.05nF
    1 Ω
    无
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