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首页 全部分类 IXFQ21N50Q vs FDA20N50F

IXFQ21N50Q备选型号: FDA20N50F

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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXFQ21N50Q
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    21A Tc
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    500V
    21A
    ROHS3 Compliant
    -
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    -
  • ON Semiconductor
    FDA20N50F
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 22A TO-3PN
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    22A Tc
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    -
    22A
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    Tin
    2
    6.401g
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    UniFET™
    2013
    e3
    yes
    3
    EAR99
    260MOhm
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    388W
    45 ns
    SWITCHING
    260m Ω @ 11A, 10V
    5V @ 250μA
    3390pF @ 25V
    65nC @ 10V
    120ns
    ±30V
    60 ns
    30V
    500V
    88A
    20.1mm
    15.8mm
    5mm
    无
    无铅
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