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首页 全部分类 IXFQ21N50Q vs IPP50R140CPXKSA1

IXFQ21N50Q备选型号: IPP50R140CPXKSA1

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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • IXYS
    IXFQ21N50Q
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    21A Tc
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    500V
    21A
    ROHS3 Compliant
    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IPP50R140CPXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 500V 23A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    23A Tc
    Tube
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    550V
    23A
    ROHS3 Compliant
    8 Weeks
    3
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    192W
    ISOLATED
    35 ns
    SWITCHING
    140m Ω @ 14A, 10V
    3.5V @ 930μA
    无卤素
    2540pF @ 100V
    64nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    8 ns
    TO-220AB
    3.5V
    500V
    0.14Ohm
    500V
    56A
    616 mJ
    无铅
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