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IXFQ50N60P3备选型号: R6035ENZC8
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- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- DS 击穿电压-最小值
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P26 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-33SILICON50A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™, Polar3™2012活跃1 (Unlimited)3雪崩 额定3不合格Single增强型MOSFET1.04kWDRAIN31 nsN-ChannelSWITCHING145m Ω @ 500mA, 10V5V @ 4mA6300pF @ 25V94nC @ 10V20ns±30V17 ns50A30V0.145Ohm600V125A1000 mJ20.3mm15.8mm4.9mmROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF10 Weeks通孔通孔TO-3P-3 Full Pack3SILICON35A Tc150°C TJTube-2014最后一次购买1 (Unlimited)3----增强型MOSFET-ISOLATED-N-ChannelSWITCHING102m Ω @ 18.1A, 10V4V @ 1mA2720pF @ 25V110nC @ 10V-±20V-35A-0.102Ohm-105A796 mJ---ROHS3 Compliant-SINGLE未说明not_compliant未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE600V4V600V无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FCH104N60F | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 37A TO-247 | 对比 |
| R6035ENZC8 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-3P-3 Full Pack | MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF | 对比 |
 | R6035ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 35A TO247 | 对比 |
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