IXYS IXFQ50N60P3

工厂交货时间

26 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1040W Tc

Turn Off Delay Time

62 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™, Polar3™

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

雪崩 额定

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.04kW

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

31 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

145m Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

94nC @ 10V

上升时间

20ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

17 ns

连续放电电流(ID)

50A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.145Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

125A

雪崩能量等级（Eas）

1000 mJ

高度

20.3mm

长度

15.8mm

宽度

4.9mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅