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首页 全部分类 IXFQ60N60X vs R6076ENZ1C9

IXFQ60N60X备选型号: R6076ENZ1C9

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXFQ60N60X
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
    19 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    60A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    55m Ω @ 30A, 10V
    4.5V @ 8mA
    5800pF @ 25V
    143nC @ 10V
    600V
    ±30V
    60A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
  • ROHM Semiconductor
    R6076ENZ1C9
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 76A TO247
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    76A Tc
    150°C TJ
    Tube
    -
    2014
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    42m Ω @ 44.4A, 10V
    4V @ 1mA
    6500pF @ 25V
    260nC @ 10V
    600V
    ±20V
    76A
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    3
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    4V
    0.042Ohm
    228A
    600V
    1954 mJ
    无SVHC
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