STMicroelectronics STW70N60DM2
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STW70N60DM2
2381-STW70N60DM2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
大陆
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MOSFET N-CH 600V 66A
--最小包装量--
STW70N60DM2详情
STMicroelectronics STW70N60DM2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
17 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
66A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
446W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ DM2
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STW70N
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
42m Ω @ 33A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5508pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
121nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±25V
连续放电电流(ID)
66A
阈值电压
4V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STW70N60DM2拓展信息
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