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IXFR32N80Q3备选型号: R6025FNZ1C9
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS24730 Weeks通孔通孔TO-247-3247SILICON24A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™2012活跃1 (Unlimited)3AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED3R-PSIP-T3Single增强型MOSFET500WISOLATED38 nsN-ChannelSWITCHING300m Ω @ 16A, 10V6.5V @ 4mA6940pF @ 25V140nC @ 10V300ns±30V24A30V0.3Ohm800V84A3000 mJ21.34mm16.13mm5.21mmROHS3 Compliant-------
MOSFET N-CH 600V 25A TO24717 Weeks通孔通孔TO-247-3-SILICON25A Tc150°C TJTube-2016最后一次购买1 (Unlimited)3--R-PSFM-T3-增强型MOSFET---N-ChannelSWITCHING180m Ω @ 12.5A, 10V5V @ 1mA3500pF @ 25V85nC @ 10V-±30V25A-0.18Ohm-100A42.1 mJ---ROHS3 CompliantSINGLE未说明not_compliant未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE600V600V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STW23N85K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 850V 19A TO-247 | 对比 |
| STW25N80K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247 | 对比 |
| R6025FNZ1C9 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 25A TO247 | 对比 |
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