IXFR44N50Q3备选型号: TK28N65W,S1F

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • IXYS
    MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/25A
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    247
    SILICON
    25A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
    unknown
    3
    R-PSIP-T3
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    ISOLATED
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    154m Ω @ 22A, 10V
    6.5V @ 4mA
    4800pF @ 25V
    93nC @ 10V
    250ns
    ±30V
    25A
    30V
    0.154Ohm
    500V
    130A
    1500 mJ
    21.34mm
    16.13mm
    5.21mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    27.6A Ta
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    110mOhm @ 13.8A, 10V
    3.5V @ 1.6mA
    3000pF @ 300V
    75nC @ 10V
    -
    ±30V
    27.6A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    TO-247
    650V
    3nF
    110 mΩ
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