STMicroelectronics STW36NM60ND
- 收藏
- 对比
STW36NM60ND
2381-STW36NM60ND
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
大陆
立即发货

MOSFET Auto-grade N-CH 600V 0.097Ohm typ 29A
--最小包装量--
STW36NM60ND详情
STMicroelectronics STW36NM60ND重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
29A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
190W Tc
Turn Off Delay Time
111 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
110mOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
基本部件号
STW36N
元素配置
Single
功率耗散
190W
接通延迟时间
30 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
110m Ω @ 14.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2785pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
80.4nC @ 10V
上升时间
53.4ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
61.8 ns
连续放电电流(ID)
29A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
650V
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STW36NM60ND拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics









哦! 它是空的。