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IXFR48N60Q3备选型号: STW36NM60ND
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 附加功能
- Reach合规守则
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS24730 Weeks通孔通孔TO-247-3247SILICON32A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™2011活跃1 (Unlimited)3154OhmAVALANCHE RATED, UL RECOGNIZEDunknown3R-PSIP-T3Single增强型MOSFET500WISOLATED37 nsN-ChannelSWITCHING154m Ω @ 24A, 10V6.5V @ 4mA7020pF @ 25V140nC @ 10V300ns±30V32A30V600V120A2000 mJ21.34mm16.13mm5.21mmROHS3 Compliant无铅-------
MOSFET Auto-grade N-CH 600V 0.097Ohm typ 29A16 Weeks通孔通孔TO-247-33-29A Tc150°C TJTubeAutomotive, AEC-Q101, FDmesh™ II-活跃1 (Unlimited)-110mOhm----Single-190W-30 nsN-Channel-110m Ω @ 14.5A, 10V5V @ 250μA2785pF @ 50V80.4nC @ 10V53.4ns±25V29A25V650V--20.15mm15.75mm5.15mmROHS3 Compliant无铅e3EAR99Tin (Sn)STW36N600V61.8 ns无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | TK25N60X5,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 25A TO247 | 对比 |
| TK25N60X,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 | 对比 |
 | FCH130N60 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET SuperFET2 600V, 130mohm | 对比 |
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