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首页 全部分类 IXFR64N60P vs FCP104N60

IXFR64N60P备选型号: FCP104N60

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  • 场效应管类型
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • JEDEC-95代码
  • DS 击穿电压-最小值
  • IXYS
    IXFR64N60P
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    247
    SILICON
    36A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarHT™
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
    600V
    64A
    3
    R-PSIP-T3
    Single
    增强型MOSFET
    360W
    ISOLATED
    28 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    105m Ω @ 32A, 10V
    5V @ 8mA
    12000pF @ 25V
    200nC @ 10V
    23ns
    ±30V
    24 ns
    36A
    30V
    600V
    3500 mJ
    21.34mm
    16.13mm
    5.21mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCP104N60
    ON Semiconductor
    MOSFET SuperFET2 600V Fast ver
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    37A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    -
    26 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    104m Ω @ 18.5A, 10V
    3.5V @ 250μA
    4165pF @ 380V
    82nC @ 10V
    18ns
    ±20V
    3.3 ns
    37A
    30V
    -
    809 mJ
    16.3mm
    10.67mm
    4.7mm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1.8g
    EAR99
    未说明
    未说明
    1
    600V
    TO-220AB
    600V
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