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首页 全部分类 IXFR64N60P vs IPP60R099P6XKSA1

IXFR64N60P备选型号: IPP60R099P6XKSA1

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  • JESD-30代码
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 无卤素
  • 阈值电压
  • 最大双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • IXYS
    IXFR64N60P
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    247
    SILICON
    36A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarHT™
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
    600V
    64A
    3
    R-PSIP-T3
    Single
    增强型MOSFET
    360W
    ISOLATED
    28 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    105m Ω @ 32A, 10V
    5V @ 8mA
    12000pF @ 25V
    200nC @ 10V
    23ns
    ±30V
    24 ns
    36A
    30V
    600V
    3500 mJ
    21.34mm
    16.13mm
    5.21mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP60R099P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO220-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    37.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    278W
    -
    20 ns
    N-Channel
    -
    99m Ω @ 14.5A, 10V
    4.5V @ 1.21mA
    3330pF @ 100V
    70nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    5 ns
    37.9A
    20V
    600V
    -
    20.7mm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    EAR99
    未说明
    未说明
    1
    无卤素
    3.5V
    600V
    150°C
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