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首页 全部分类 IXFR90N20 vs FQA65N20

IXFR90N20备选型号: FQA65N20

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  • 晶体管元件材料
  • 包装
  • JESD-609代码
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
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  • 已出版
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXFR90N20
    IXYS
    MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    SILICON
    90A Tc
    Tube
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    200V
    90A
    0.022Ohm
    200V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQA65N20
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3 Tab) TO-3P(N) Rail
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    SILICON
    65A Tc
    Tube
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    -
    65A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 5 hours ago)
    4 Weeks
    3
    6.401g
    -55°C~150°C TJ
    QFET®
    2001
    200V
    65A
    Single
    310W
    120 ns
    SWITCHING
    32m Ω @ 32.5A, 10V
    5V @ 250μA
    7900pF @ 25V
    200nC @ 10V
    640ns
    ±30V
    275 ns
    5V
    30V
    200V
    260A
    18.9mm
    15.8mm
    5mm
    无SVHC
    无
    无铅
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