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首页 全部分类 IXFR90N20 vs IRFB4127PBF

IXFR90N20备选型号: IRFB4127PBF

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 包装
  • JESD-609代码
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  • 零件状态
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
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  • 引脚数量
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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 工厂交货时间
  • 引脚数
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  • 终端
  • 电阻
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • IXYS
    IXFR90N20
    IXYS
    MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    SILICON
    90A Tc
    Tube
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    200V
    90A
    0.022Ohm
    200V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB4127PBF
    Infineon Technologies
    In a Pack of 2, N-Channel MOSFET, 76 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB4127PBF
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    76A Tc
    Tube
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    -
    76A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    3
    2008
    HEXFET®
    -55°C~175°C TJ
    通孔
    20MOhm
    1
    Single
    375W
    17 ns
    SWITCHING
    20m Ω @ 44A, 10V
    5V @ 250μA
    5380pF @ 50V
    150nC @ 10V
    18ns
    ±20V
    22 ns
    5V
    TO-220AB
    20V
    200V
    200V
    250 mJ
    175°C
    5 V
    19.8mm
    10.668mm
    4.826mm
    无
    无SVHC
    无铅
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