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首页 全部分类 IXFX120N30T vs IRGP4063DPBF

IXFX120N30T备选型号: IRGP4063DPBF

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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 接通时间
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXFX120N30T
    IXYS
    MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GigaMOS™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 60A, 10V
    5V @ 4mA
    20000pF @ 25V
    265nC @ 10V
    300V
    ±20V
    120A
    0.024Ohm
    2500 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IRGP4063DPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 96A 330W TO247AC
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2006
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    COLLECTOR
    -
    电源控制
    -
    -
    -
    -
    300V
    -
    96A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    38.000013g
    2.14V
    300V
    330W
    96A
    IRGP4063D
    Single
    330W
    Standard
    60 ns
    56ns
    N-CHANNEL
    2.14V
    96A
    115 ns
    TO-247AC
    100 ns
    2.14V @ 15V, 48A
    210 ns
    Trench
    95nC
    144A
    60ns/145ns
    625μJ (on), 1.28mJ (off)
    20V
    6.5V
    46ns
    20.3mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
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