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首页 全部分类 IXFX20N120P vs SCT20N120

IXFX20N120P备选型号: SCT20N120

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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • IXYS
    IXFX20N120P
    IXYS
    MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    247
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarP2™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    780W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    570m Ω @ 10A, 10V
    6.5V @ 1mA
    11100pF @ 25V
    193nC @ 10V
    45ns
    1200V
    ±30V
    70 ns
    20A
    6.5V
    30V
    0.57Ohm
    1.2kV
    50A
    1000 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    SCT20N120
    STMicroelectronics
    MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    20A Tc
    -55°C~200°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    290m Ω @ 10A, 20V
    3.5V @ 1mA
    650pF @ 400V
    45nC @ 20V
    16ns
    1200V
    +25V, -10V
    17 ns
    20A
    -
    25V
    -
    1.2kV
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    38.000013g
    SCT20
    1
    10 ns
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