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首页 全部分类 IXFX27N80Q vs FCH130N60

IXFX27N80Q备选型号: FCH130N60

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • ECCN 代码
  • Reach合规守则
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • JEDEC-95代码
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • IXYS
    IXFX27N80Q
    IXYS
    MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    27A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2002
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    500W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    320m Ω @ 500mA, 10V
    4.5V @ 4mA
    7600pF @ 25V
    170nC @ 10V
    28ns
    ±20V
    13 ns
    27A
    20V
    800V
    108A
    2500 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH130N60
    ON Semiconductor
    MOSFET SuperFET2 600V, 130mohm
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    28A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    130m Ω @ 14A, 10V
    3.5V @ 250μA
    3590pF @ 380V
    70nC @ 10V
    16ns
    ±20V
    4 ns
    28A
    30V
    600V
    84A
    720 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    6.39g
    EAR99
    not_compliant
    1
    25 ns
    TO-247AB
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
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