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首页 全部分类 IXFX98N50P3 vs FCH041N60F

IXFX98N50P3备选型号: FCH041N60F

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • JEDEC-95代码
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXFX98N50P3
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 98A PLUS247
    30 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    247
    SILICON
    65 ns
    HiPerFET™, Polar3™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    1.3kW
    DRAIN
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 500mA, 10V
    5V @ 8mA
    13100pF @ 25V
    197nC @ 10V
    8ns
    ±30V
    6 ns
    98A
    30V
    0.05Ohm
    500V
    245A
    2000 mJ
    5.21mm
    16.13mm
    21.34mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH041N60F
    ON Semiconductor
    MOSFET 600V N-Channel MOSFET, FRFET
    15 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    76A Tc
    SuperFET® II
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    595W
    -
    63 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    41m Ω @ 38A, 10V
    5V @ 250μA
    14365pF @ 100V
    360nC @ 10V
    66ns
    ±20V
    53 ns
    76A
    20V
    -
    600V
    228A
    2025 mJ
    4.82mm
    15.87mm
    20.82mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    Tin
    6.39g
    e3
    yes
    TO-247AB
    无
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