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首页 全部分类 IXFX98N50P3 vs STW65N65DM2AG

IXFX98N50P3备选型号: STW65N65DM2AG

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  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 漏源电压 (Vdss)
  • IXYS
    IXFX98N50P3
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 98A PLUS247
    30 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    247
    SILICON
    65 ns
    HiPerFET™, Polar3™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    1.3kW
    DRAIN
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 500mA, 10V
    5V @ 8mA
    13100pF @ 25V
    197nC @ 10V
    8ns
    ±30V
    6 ns
    98A
    30V
    0.05Ohm
    500V
    245A
    2000 mJ
    5.21mm
    16.13mm
    21.34mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW65N65DM2AG
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 60A
    17 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    -
    -
    60A Tc
    Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    50m Ω @ 30A, 10V
    5V @ 250μA
    5500pF @ 100V
    120nC @ 10V
    -
    ±25V
    -
    60A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    未说明
    未说明
    STW65N
    650V
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