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首页 全部分类 IXFY5N50P3 vs IRFR825PBF

IXFY5N50P3备选型号: IRFR825PBF

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  • 引脚数
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXFY5N50P3
    IXYS
    MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    114W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, Polar3™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    N-Channel
    1.65 Ω @ 2.5A, 10V
    5V @ 1mA
    370pF @ 25V
    6.9nC @ 10V
    500V
    ±30V
    5A
    5A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR825PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2012
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    N-Channel
    1.3 Ω @ 3.7A, 10V
    5V @ 250μA
    1346pF @ 25V
    34nC @ 10V
    -
    ±20V
    6A
    6A
    ROHS3 Compliant
    3
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    Single
    增强型MOSFET
    119W
    8.5 ns
    25ns
    20 ns
    3V
    20V
    500V
    138 ns
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    无铅
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