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首页 全部分类 IXFY5N50P3 vs R6006ANDTL

IXFY5N50P3备选型号: R6006ANDTL

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  • 输入电容
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXFY5N50P3
    IXYS
    MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    114W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, Polar3™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    N-Channel
    1.65 Ω @ 2.5A, 10V
    5V @ 1mA
    370pF @ 25V
    6.9nC @ 10V
    500V
    ±30V
    5A
    5A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    R6006ANDTL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 6A CPT
    17 Weeks
    表面贴装
    -
    TO-252-3
    1
    -
    Tape & Reel (TR)
    -
    2013
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    -
    -
    -
    -
    600V
    -
    6A
    6A
    ROHS3 Compliant
    3
    2
    150°C
    -55°C
    40W
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    1
    增强型MOSFET
    22 ns
    SWITCHING
    36ns
    N-CHANNEL
    35 ns
    30V
    600V
    24A
    460pF
    2.4 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    900mOhm
    1.2 Ω
    无
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