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IXFZ520N075T2备选型号: IPT012N08N5ATMA1
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 制造商包装标识符
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 75V 465A DE-47526 Weeks表面贴装表面贴装DE475475SILICON465A Tc-55°C~175°C TJTubeGigaMOS™, TrenchT2™2010yes活跃1 (Unlimited)6EAR99雪崩 额定DUALFLAT未说明未说明6R-PDFP-F6不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDN-ChannelSWITCHING1.3m Ω @ 100A, 10V4V @ 8mA41000pF @ 25V545nC @ 10V75V±20V465A0.0013Ohm1560A75V3000 mJROHS3 Compliant--------------------
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerSFN8SILICON300A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013yes活跃1 (Unlimited)2EAR99--FLAT未说明未说明-R-PSSO-F2--增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING1.2m Ω @ 150A, 10V3.8V @ 280μA17000pF @ 40V223nC @ 10V-±20V300A----ROHS3 CompliantPG-HSOF-8e3Tin (Sn)not_compliant1Single375W35 ns无卤素31ns30 ns3V20V80V52A80V175°C2.4mm无SVHC含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPT012N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerSFN | MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF | 对比 |
 | NTMFS5C604NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C604NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 38 A, 60 V, 0.00093 ohm, 10 V, 2 V | 对比 |
 | AUIRF7759L2TR | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric L8 | MOSFET N-CH 75V 160A DIRECTFET | 对比 |
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