IXGA12N100备选型号: IRGS4056DPBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- RoHS状态
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- ECCN 代码
- 元素配置
- 反向恢复时间
- IGBT类型
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- IGBT 1000V 24A 100W TO263AA18 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON1kV-55°C~150°C TJTube2000e3yesObsolete1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)HIGH SPEED100WSINGLE鸥翼未说明未说明IXG*12N1003R-PSSO-G2不合格SINGLECOLLECTORStandard100W电源控制N-CHANNEL3.5V24A1000V100 ns3.5V @ 15V, 12A900 ns65nC48A100ns/850ns2.5mJ (off)20V5V700ns符合RoHS标准------------
- IGBT 600V 24A 140W D2PAK13 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB2-600V-55°C~175°C TJTube2007--Obsolete1 (Unlimited)2--140W-鸥翼--------Standard140W-N-CHANNEL1.85V24A--1.85V @ 15V, 12A-25nC48A31ns/83ns75μJ (on), 225μJ (off)30V6.5V31ns符合RoHS标准260.39037mg1.55VEAR99Single68 nsTrench9.65mm10.67mm4.83mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGS4056DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 24A 140W D2PAK | 对比 |
![]() | STGB10M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | STMICROELECTRONICS STGB10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263, 3 Pins | 对比 |
![]() | IXYA8N90C3D1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT Transistors 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode | 对比 |






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